Законы теплового излучения Фотоэффект Квантовый гармонический осциллятор Операторы энергий Ядерная  модель атома Спин  электрона Квантовые  генераторы Бозоны  и фермионы Зонная  теория твёрдых тел Электропроводимость  металлов


Курс лекций по физике

Полупроводниковые тепловые элементы.

 

 Принцип работы полупроводниковых тепловых элементов аналогичен работе полупроводниковых солнечных элементов с тем отличием, что в области р-п-перехода пары электрон- дырка образуются за счёт его нагрева.

  Рекомбинация пар электрон-дырка сопровождаются выделением теплоты, поэтому требуется теплоотвод к радиатору или теплообменнику. Понятие о голографии Голография (от греч. «полная запись») — особый способ записи и последующего восстановления волнового поля, основанный на регистрации интерференционной картины. Она обязана своим возникновением законам волновой оптики — законам интерференции и дифракции.

 Подобную схему можно использовать в работе полупроводниковых охладителей – устройств, при пропускании тока через которые происходит охлаждение одной стороны устройства и нагрев другой.

Полупроводниковый транзистор

 С помощью соответствующих примесей в кристалле германия или кремния создают три области р-п-р или п-р-п, которые равноценны по своим параметрам, но кристаллы р-п-р-типа применяются чаще, потому, что они проще в изготовлении.

 Оба р-п-перехода соединяют с двумя источниками тока. При этом переход «эмиттер-база» включают в прямом (пропускном) направлении, а переход «коллектор-база» - в обратном (запирающем).

 Пока цепь эмиттера разомкнута, в цепи коллектора ток очень мал. Как только замыкают цепь эмиттера, «дырки» - основные носители эмиттера – переходят из него в очень узкую () п-область базы, откуда большая их часть () проходят в р-область к коллектору, образуя коллекторный ток. Остальные дырки образуют ток базы.

IЭ – IБ – IК = 0

(Принято ток, направленный к транзистору, считать положительным).

 Схема с общей базой

IK = A.IЭ, где А = 0,95 – 0,995 – коэффициент усиления по току.

 и  Тогда

 

Транзистор в схеме с общей базой работает как усилитель мощности т.е. небольшие изменения входной мощности вызывают большие изменения выходной мощности.

22 – 8

 Схема с общим эмиттером (применяется наиболее часто)

 В – коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером.

  и 

Тогда

 

 Широкое применение полупроводниковых приборов началось с того, что электронные лампы не стали справляться с высокими частотами в радиолокационной технике.


Собственная и примесная  проводимость полупроводников